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技術資料
No.T1204 | 2013.10.01

薄膜中の微量金属分析

(ICP-AES、GF-AAS、ICP-MS)

概要

薄膜中の主成分元素から微量金属元素までの分析が可能です。特にICP質量分析法(ICP-MS)は測定溶液でppt(=10-12 g/g)の感度があり、薄膜中濃度としてppm(=10-6 g/g)の微量金属元素を測定することができます。

分析方法

基板上(ガラス、シリコンウェハーなど)に成膜された薄膜試料を酸で分解します。主成分元素はICP発光分析法(ICP-AES)で測定し、微量金属元素をファーネス原子吸光法(GF-AAS)やICP質量分析法(ICP-MS)で測定します。

図2 測定範囲

 

  • 薄膜全体の平均組成、微量成分の分析が可能です。
  • 測定元素・含有量により、最適な測定法を選択します。
    (ICP発光分析法(ICP-AES)、ファーネス原子吸光法(GF-AAS)、ICP質量分析法(ICP-MS))
  • ※薄膜量(面積、厚さ)、基板材質(溶出成分)により分析できない場合があります。
    また、酸素は測定できません。

・対象試料例

 金属薄膜  : Cu、Al
 酸化物薄膜 : In2O3、ZnO、SnO2
 その他   : 透明導電膜(ITO、AZO)等

適用分野
フラットパネルディスプレイ、電池・半導体材料
キーワード
金属薄膜、酸化物薄膜、透明導電膜(ITO、AZO)

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