シリカ粉末の表面SiOH分析（拡散反射FT-IR）

概要

拡散反射FT-IR法は、粉末試料表面で拡散反射した光を用いて赤外スペクトルを得る手法であり、錠剤成形等の前処理無しでそのまま測定出来る点が特徴です。また、拡散反射法は透過法と比べて試料表面の構造を強く反映したデータが得られることから、触媒の表面構造や吸着物質の分析に有効です。
弊社では、温度や雰囲気を制御したin-situでの拡散反射FT-IR測定が可能です。

分析方法

シリカ粉末を真空下、室温～600℃の温度条件で拡散反射FT-IR測定し、表面状態の変化を追跡した例を図2に示します。
室温測定では、吸着水や水素結合性SiOHのブロードなピークが強く観測され、孤立SiOHは僅かしか見られませんでした。
しかし、測定温度上昇につれ、吸着水や水素結合性SiOHピークが徐々に減少し、孤立SiOHピークの増加する様子が直接観測されました。